metal-nitride-oxide-semiconductor structure
- metal-nitride-oxide-semiconductor structure
- metalo-nitrido-oksido-puslaidininkio darinys
statusas T sritis radioelektronika
atitikmenys: angl. metal-nitride-oxide-semiconductor structure
vok. Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Struktur, f
rus. структура металл-нитрид-оксид-полупроводник, f
pranc. structure métal-nitrure-oxyde-semi-conducteur, f
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“.
Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas.
2000.
Look at other dictionaries:
complementary metal-nitride-oxide-semiconductor structure — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
double-diffused metal-nitride-oxide-semiconductor structure — dvikartinės difuzijos metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal nitride oxide semiconductor structure; double diffused MNOS structure vok. doppeldiffundierte Metall… … Radioelektronikos terminų žodynas
metal-nitride-oxide-semiconductor transistor — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor transistor; MNOS transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary metal-nitride-oxide-semiconductor — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate metal-nitride-oxide-semiconductor transistor — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate metal nitride oxide semiconductor transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
structure métal-nitride-oxyde-semi-conducteur à double diffusion — dvikartinės difuzijos metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal nitride oxide semiconductor structure; double diffused MNOS structure vok. doppeldiffundierte Metall… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MNOS complémentaire — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure métal-nitrure-oxyde-semi-conducteur — metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor structure vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл нитрид оксид полупроводник, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary MNOS structure — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
double-diffused MNOS structure — dvikartinės difuzijos metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal nitride oxide semiconductor structure; double diffused MNOS structure vok. doppeldiffundierte Metall… … Radioelektronikos terminų žodynas